Infineon Technologies IPD060N03LG دیتاشیت

IPD060N03LG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IPD060N03LG
حجم فایل 74.806 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت IPD060N03LG-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: Infineon Technologies IPD060N03LG
  • Operating Temperature: -55°C~+175°C
  • Power Dissipation (Pd): 56W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 14.4nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 30V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 2.3nF@15V
  • Continuous Drain Current (Id): 50A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 52pF@15V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ@10V,50A
  • Package: TO-252-3

محصولات مشابه